AI요약

가상현실, 자율주행 등 미래 기술에 필수적인 초저전력 비휘발성 메모리 기술에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 본 발명은 이러한 요구를 충족하기 위해 형성 공정이 필요 없는 광매개 다중 레벨 플렉시블 구리 요오드화물(CuI) 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 소자 및 그 제조 방법을 제안합니다. 이 CuI RRAM은 ±0.5V 미만의 저전압으로 뛰어난 내구성(10^3 사이클)과 일관된 On/Off 비율(10^4), 긴 유지 성능을 제공합니다. 특히 PMMA 캡슐화를 통해 공기 중 안정성을 15배 향상시켰으며, 광반응성 기반의 다중 레벨 데이터 저장이 가능합니다. 플렉시블 전자 시스템, PIM(Process-in-Memory), 뉴로모픽 애플리케이션 및 IoT 장치에 혁신적인 기여를 할 수 있는 차세대 메모리 기술입니다.